| 发明名称 | 使用H<SUB>2</SUB>O等离子体和H<SUB>2</SUB>O蒸气释放电荷的方法及其应用 | ||
| 摘要 | 一种使用纯H<SUB>2</SUB>O等离子体的原位实施方法，用来从基材或晶圆移除光阻层，而不会在基材或晶圆上累积电荷。以及，一种使用纯H<SUB>2</SUB>O等离子体或纯H<SUB>2</SUB>O蒸气的原位实施方法，用来从此基材或晶圆表面移除或释放经由一个或多个集成电路建构制程所累积的电荷。 | ||
| 申请公布号 | CN1941279A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610078447.6 | 申请日期 | 2006.05.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李元榜;吴子扬;潘昇良;林耀辉;赖育志;陈德芳;林佩璇;吴善华;刘鸿兴 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);G03F7/36(2006.01);G03F7/42(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种移除累积于一基材或一晶圆表面的电荷的方法，其特征在于其包括：置放该基材或该晶圆于一反应室中；在该反应室中产生一水等离子体。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 | ||