薄膜晶体管元件的制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管元件的制造方法，包括形成第一掺杂金属层于绝缘基板上。形成一第二金属层于第一掺杂金属层上。图案化第一掺杂金属层及第二金属层以形成一图案化的金属栅极堆栈结构。将绝缘基板施以一退火工艺，使第一掺杂金属层中的掺杂元素扩散至金属栅极堆栈结构的表面并氧化，以形成一氧化层披覆图案化的金属栅极堆栈结构的侧壁上。形成一栅极绝缘层于绝缘基板上覆盖金属栅极堆栈结构。形成一半导体层于栅极绝缘层上，以及形成一源极与一漏极于部分该半导体层上。

主权项

1、一种薄膜晶体管元件的制造方法，包括下列步骤：形成一第一掺杂金属层于一绝缘基板上；形成一第二金属层于该第一掺杂金属层上；图案化该第一掺杂金属层及该第二金属层，以形成一图案化的金属栅极堆栈结构；将该金属栅极堆栈结构施以一退火工艺，第一掺杂金属层中的掺杂元素扩散至该金属栅极堆栈结构的表面并氧化，以形成一氧化层披覆该金属栅极堆栈结构的侧壁上；形成一栅极绝缘层于绝缘基板上覆盖该金属栅极堆栈结构；形成一含硅的半导体层于该栅极绝缘层上；以及形成一源极与一漏极于部分该含硅的半导体层上。