| 发明名称 | 掺钛铝酸锂晶片的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种用于GaN基衬底的掺钛铝酸锂晶片的制备方法，包括下列步骤：①采用提拉法生长含有四价钛的掺钛铝酸锂晶体，即Ti<SUP>4+</SUP>:LiAlO<SUB>2</SUB>；②制片：将晶体切片并在富锂的气氛中利用气相传输平衡法进行处理。经测试，该Ti<SUP>4+</SUP>:LiAlO<SUB>2</SUB>晶片的热稳定性和抗水解性能明显优于纯铝酸锂晶片，是一种质量较高，尺寸较大的适用作GaN基衬底的掺钛铝酸锂晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1308499C | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200510024013.3 | 申请日期 | 2005.02.23 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 周圣明;邹军;徐军;张连翰;彭观良 |
| 分类号 | C30B15/02(2006.01);C30B29/22(2006.01) | 主分类号 | C30B15/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种用于GaN基衬底的掺钛铝酸锂晶片的制备方法，其特征在于该方法包括下列步骤：①采用提拉法生长含有四价钛的掺钛铝酸锂晶体，即Ti4+:LiAlO2；②制片：将晶体切片并在富锂的气氛中利用气相传输平衡法进行处理。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||