| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 一种有效地执行一读取操作及一写入操作的半导体存储装置及方法。该半导体存储装置及方法包括：响应于具有第一频率的第一时钟信号，而执行用于输入及输出数据的第一操作；及响应于具有第二频率的第二时钟信号，而执行用于存储及读出一核心区块中的数据的第二操作，其中该第一频率不同于该第二频率。 | ||
| 申请公布号 | CN1941196A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610131708.6 | 申请日期 | 2006.09.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 都昌镐 |
| 分类号 | G11C11/4096(2006.01);G11C11/4076(2006.01);G11C11/4093(2006.01) | 主分类号 | G11C11/4096(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 史新宏;邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种用于操作半导体存储装置的方法，其包含：响应于具有第一频率的第一时钟信号，而执行用于输入及输出数据的第一操作；及响应于具有第二频率的第二时钟信号，而执行用于存储及读出一核心区域中的该数据的第二操作，其中该第一频率不同于该第二频率。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||