| 发明名称 | 具有荧光物质的LED | ||
| 摘要 | 一种发光器件，包括：透明衬底(1)，其具有第一表面和第二表面；半导体层(2－6)，其设置在所述第一表面上；第一光发射层(11)，其设置在所述半导体层(2－6)上方，并发射包括与大于所述半导体层的半导体的禁带宽度的能量对应的波长的第一紫外光；第二光发射层(8)，其设置在所述第一光发射层(11)和所述半导体层(2－6)之间，吸收从所述第一光发射层(11)发射的所述第一紫外光，并发射包括与小于所述半导体层(2－6)的半导体的禁带宽度的能量对应的波长的第二紫外光；以及第一(18)和第二(19)电极，其为对所述第一光发射层(11)施加电力而设置。 | ||
| 申请公布号 | CN1943051A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200680000111.6 | 申请日期 | 2006.03.07 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 大场康夫 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种发光器件，包括：透明衬底，其具有第一表面和第二表面；半导体层，其设置在所述透明衬底的所述第一表面上；第一光发射层，其设置在所述半导体层上，并发射包括与大于所述半导体层的半导体的禁带宽度的能量对应的波长的第一紫外光；第二光发射层，其设置在所述第一光发射层和所述半导体层之间，吸收从所述第一光发射层发射的所述第一紫外光，并且发射包括与小于所述半导体层的半导体的禁带宽度的能量对应的波长的第二紫外光；以及第一电极和第二电极，其为对所述第一光发射层施加电力而设置。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||