| 发明名称 | 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法 | ||
| 摘要 | 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法属于半导体材料技术领域。由于蓝宝石具有绝缘性，所以以其为衬底生长氮化镓不能符合器件制作的要求，以碳化硅为衬底生长氮化镓成本又很高。以硅为衬底采用现有方法生长氮化镓其位错密度又很高，同样不能满足要求。而本发明能够降低这一位错密度1～2个数量级，其实现的途径主要是，在硅衬底上生长具有空洞的氮化硅掩蔽膜，再在空洞处生长氮化铝缓冲层，最后在这一缓冲层上生长氮化镓。可以在其上继续生长发光管、激光器、探测器等任意器件结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1309013C | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200410006179.8 | 申请日期 | 2004.03.05 |
| 申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 张宝顺;王晓华 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国兵器工业集团公司专利中心 | 代理人 | 曲博 |
| 主权项 | 1、一种生长低位错氮化镓的方法，采用外延工艺在硅衬底上进行，其特征在于，1)在Si衬底(1)上低温生长一层GaN层(2)；2)关闭氮源，升高Si衬底(1)温度，使低温生长的GaN层(2)分解，在Si衬底(1)上形成Ga滴，然后打开氮源，使有Ga滴的地方形成GaN层(3)，而没有Ga滴的Si衬底(1)表面发生氮化，形成Si3N4层(4)；3)继续提高Si衬底(1)温度，关闭氮源，使GaN层(3)发生分解，露出Si对底(1)表面，这样就形成了带有空洞(5)的Si3N4掩蔽膜(4)，在空洞(5)处直接露出Si衬底(1)表面；4)采用选择外延的方法在空洞(5)处生长AlN缓冲层(6)；5)采用横向外延的方法在AlN缓冲层(6)上生长GaN层(7)，直到在Si3N4层(4)表面聚合并生长平整。 | ||
| 地址 | 130022吉林省长春市卫星路7083号 | ||