| 发明名称 | 半导体激光元件和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体激光元件，其利用窗结构充分地抑制激光的射出端面部由于热而破坏，同时能够进一步提高温度特性，该半导体激光元件包括：活性层，在激光的射出端面部具有窗结构；以及p型层，形成在活性层的表面上，含有作为杂质的Mg和Zn。另外，p型层所含有的Zn的杂质浓度，比p型层所含有的Mg的杂质浓度大。 | ||
| 申请公布号 | CN1941526A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610159972.0 | 申请日期 | 2006.09.28 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社 | 发明人 | 广山良治;三宅辉明;宫田让 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01);H01S5/16(2006.01);H01S5/40(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光元件，其特征在于，包括：活性层，在激光的射出端面部具有窗结构；以及p型层，在所述活性层的表面上形成，含有作为杂质的Mg和zn，其中，所述p型层所含有的所述Zn的杂质浓度比所述p型层所含有的所述Mg的杂质浓度大。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||