| 发明名称 | GaN系半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供一种GaN系半导体装置，其通态电阻低、反偏压的电压外加时的漏电流非常小，而且耐压特性非常优异，其结构具备：III－V族氮化物半导体层，其至少包含1个带隙能量不同的III－V族氮化物半导体的异质结结构；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极接触，并配置在所述III－V族氮化物半导体层的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1943035A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200580010946.5 | 申请日期 | 2005.05.02 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社 | 发明人 | 池田成明;李江;吉田清辉 |
| 分类号 | H01L29/47(2006.01);H01L29/872(2006.01) | 主分类号 | H01L29/47(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1.一种GaN系半导体装置，其特征是，具备：III-V族氮化物半导体层；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；以及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极接触，并配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||