| 发明名称 |
Bit line precharge and discharge circuit for programming non-volatile memory |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP1235230(B1) |
申请公布日期 |
2007.04.04 |
| 申请号 |
EP20010308023 |
申请日期 |
2001.09.20 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
LEE, YEONG-TAEK |
| 分类号 |
G11C16/06;G11C16/24;G11C16/02;G11C16/04;G11C16/10;G11C16/30 |
主分类号 |
G11C16/06 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
