| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种CIS及其制造方法。该CIS包括：在其上形成有光电二极管和晶体管的衬底上形成的层间绝缘层；多个滤色镜层，形成在层间绝缘层上并彼此分隔预设间隔；金属侧壁，形成为填充多个滤色镜之间的预设间隔；以及微透镜，形成在多个滤色镜的每一个上。 | ||
| 申请公布号 | CN1941396A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610159598.4 | 申请日期 | 2006.09.28 |
| 申请人 | 东部电子有限公司 | 发明人 | 黄俊 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种CIS(互补金属氧化物硅图像传感器)，包括：在衬底上形成的层间绝缘层，在该衬底上形成有光电二极管和晶体管；多个滤色镜，形成在层间绝缘层上并彼此分隔预设间隔；金属侧壁，形成为填充多个滤色镜之间的预设间隔；以及微透镜，形成在多个滤色镜的每一个上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||