| 发明名称 | 掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法，它是在特定晶面方向的二硅酸镥衬底上采用电阻加热液相外延炉生长掺杂二硅酸镥闪烁薄膜形成的透明荧光屏，其结构表述为：(Ce<SUB>x</SUB>M<SUB>z</SUB>Re<SUB>y</SUB>Lu<SUB>1-x-y-z</SUB>)<SUB>2</SUB>Si<SUB>2</SUB>O<SUB>7</SUB>/(Lu<SUB>1-y</SUB>Re<SUB>y</SUB>)<SUB>2</SUB>Si<SUB>2</SUB>O<SUB>7</SUB>，其中：0.001≤x≤0.01，0≤y≤0.3，0.001≤z≤0.01。Re代表Sc、Er、La、Ho、Dy、Yb、Y、Gd或In等的一种或多种，M代表Eu或Tb中的一种，这种荧光屏可以广泛应用于科学研究、医疗、工业无损检测、地质勘探、安全检查以及国防等射线探测领域中。 | ||
| 申请公布号 | CN1308987C | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200410053301.7 | 申请日期 | 2004.07.30 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 赵广军;严成锋;徐军;庞辉勇;介明印;何晓明;夏长泰 |
| 分类号 | H01J1/62(2006.01);H01J9/20(2006.01);C09K11/79(2006.01) | 主分类号 | H01J1/62(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种掺杂二硅酸镥亚微米成像荧光屏，其特征在于它是在具有一定晶面方向的二硅酸镥衬底上生长掺杂二硅酸镥闪烁薄膜形成的透明荧光屏，其结构表述为：(CexMzReyLu1-x-y-z)2Si2O7/(Lu1-yRey)2Si2O7 其中：0.001≤x≤0.01，0≤y≤0.3，0.001≤z≤0.01，Re代表Sc、Er、La、Ho、Dy、Yb、Y、Gd或In的一种或多种，M代表Eu或Tb中的一种。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||