发明名称 取向膜的形成方法、取向膜、电子器件用基板、液晶面板
摘要 本发明可以提供耐光性优良,而且能够产生偏转预倾角的取向膜,提供具备这样的取向膜的电子器件用基板、液晶面板和电子仪器,另外,提供这样的取向膜的形成方法。本发明的取向膜的形成方法,是在基体材料上形成取向膜,其特征在于,蒸发碳,同时在基体材料的形成取向膜的面上,只从相对于与该面垂直的方向倾斜所定的角度θ<SUB>a</SUB>的方向照射含有氮离子的离子束。上述所定的角度θ<SUB>a</SUB>是45~89°。含有氮离子的离子束的加速电压是100~500V。含有氮离子的离子束的电流是10~500mA。
申请公布号 CN1308755C 申请公布日期 2007.04.04
申请号 CN200410074949.2 申请日期 2004.09.01
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 太田英伸;远藤幸弘
分类号 G02F1/1337(2006.01) 主分类号 G02F1/1337(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 李香兰
主权项 1.一种取向膜的形成方法,在基体材料上形成取向膜,其特征在于,用蒸发源蒸发碳,同时在上述基体材料的形成上述取向膜的面上,只从相对于与该面垂直的方向倾斜所定的角度θa的方向照射含有氮离子的离子束。
地址 日本东京