| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；至少一层第一绝缘膜，形成在半导体衬底上并具有3.8或更低的相对介电常数，至少在半导体衬底的四个角附近，第一绝缘膜的整个层被沿四个角延伸的缺少部分分开；以及第二绝缘膜，覆盖半导体衬底的中心侧的缺少部分中第一绝缘膜的整个层的侧面，并具有超过3.8的相对介电常数。 | ||
| 申请公布号 | CN1309025C | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200410029643.5 | 申请日期 | 2004.03.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 莲沼正彦;旗崎晃次 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/301(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；至少一层第一绝缘膜，形成在半导体衬底上并具有3.8或更低的相对介电常数，至少在半导体衬底的四个角附近，第一绝缘膜的整个层被沿四个角延伸的缺少部分分开；以及第二绝缘膜，覆盖半导体衬底的中心侧的缺少部分中第一绝缘膜的整个层的侧面，并具有超过3.8的相对介电常数。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||