数字传输中的一种卷积交织与去交织的方法

摘要

本发明公开了一种新的卷积交织和去交织的实现方法。卷积交织方法首先根据B的信息和M的信息，生成坐标对(X，Y)；然后，根据该坐标对生成对应RAM中存储单元的读地址ADDRr和写地址ADDRw；最后，通过对生成的读、写地址的操作，完成对输入数据的写入和读出，达到卷积交织的效果。去交织在原理上与交织基本相同。本发明方法采用对读写分别寻址的方式，使用简单的、独特的地址映射方式，在RAM中实现交织器和去交织器，时钟速度可以比RAM分区循环移位法提高一倍。本发明还可以通过对同一个RAM进行连续分区，实现用较少的存储资源同时支持多种数据业务，控制简单而易于芯片化。

主权项

1.数字传输中的一种卷积交织方法，对于B行M阶、数据宽度为k的卷积交织器，采用双端口异步RAM，实现卷积交织，其特征在于所述卷积交织包括以下步骤：(1)根据B的信息和M的信息生成坐标对(X，Y)，坐标对(X，Y)中X、Y分别表示B行M阶交织器中的行与列，X、Y值是这样产生的：X值由一个模B的计数器产生：Xn+1＝(Xn+1)mod(B)，其中X的初值为0，X数值依次为0至B-1；Y值由片内的双端口异步RAM产生，该RAM的读写地址即为此时X的值；对于每个X都产生Y值，该Y值不仅输出至下级地址发生器，且同时通过一个“加1取模”模块写回双端口异步RAM，以产生新的Y值，产生新Y值的具体公式为：Yn+1＝(Yn+1)mod(M·X+1)，其中Y的初值为零，X的初值为零；(2)根据得到的坐标对(X，Y)的X、Y值，用如下公式生成对应RAM中存储单元的写地址ADDRw和读地址ADDRr：写地址：$\mathrm{ADDRw}=\frac{1}{2}{X}_n·(X_n-1)·M+X_n+Y_n,X\ge 0$ 读地址：$\mathrm{ADDRr}=\frac{1}{2}{X}_n·(X_n-1)·M+X_n+Y_{n+1},X\ge 0$ (3)依次按照上述方法产生的RAM写地址ADDRw写入一个字节并按照上述方法得到的RAM读地址ADDRr读出一个字节，完成对输入数据的写入和读出，达到卷积交织的效果，具体步骤如下：对同一个RAM进行连续分区，每个区对应一个卷积交织模式，以实现在一片RAM中不同卷积方式的复用；各分区分别产生各自的坐标对(X，Y)，并根据如下公式生成对应RAM分区中存储单元的写地址ADDRw和读地址ADDRr：写地址：$\mathrm{ADDRw}=\frac{1}{2}{X}_n·(X_n-1)·M+X_n+Y_n+\mathrm{BaseAddr},X\ge 0$ 读地址：$\mathrm{ADDRr}=\frac{1}{2}{X}_n·(X_n-1)·M+X_n+Y_{n+1}+\mathrm{BaseAddr},X\ge 0;$ 其中，BaseAddr为每个分区的基地址。