一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法

摘要

本发明涉及一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法。可用于消除硅单晶片表面的晶体原生颗粒缺陷，即消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷。本法以直拉法生长的硅单晶片为原始硅片，将低剂量重离子Ge⁺或Si⁺注入到原始硅片的表层中，使其非晶化，再用快速热退火或炉退火使硅片表面的非晶化层，固相外延、重新结晶，而消除其原生坑缺陷。本法成本低，可利用含有较多杂质的锗或硅材料为原料，避免了超过1200℃以上的高温工艺。

主权项

1.一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)以通常直拉法生长的硅晶体的硅单晶片为原始硅片，(2)通过注入剂量1×1014atoms/cm2-6×1014atoms/cm2重离子注入，将重离子Ge+ 或Si+注入到经过清洗过的原始硅片表层中，使硅单晶片器件制作区表层非晶化，(3)用快速热退火处理或炉退火处理，使硅片表面非晶化层固相外延生长，重结晶，而消除硅单晶片制作区原生坑缺陷。