发明名称 奈米碳管制备方法
摘要 本发明涉及一种奈米碳管制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,于该基底上形成复数微流道;于各微流道内之一端形成一催化剂;于各微流道内之相对之另一端形成一电极;于该催化剂与电极之间施加一电压,利用化学气相沈积法于微流道内生长奈米碳管,该奈米碳管将向电极方向生长;于奈米碳管上形成一保护层,该保护层覆盖微流道内奈米碳管之一预定长度;氧化去除未被保护层覆盖之奈米碳管;去除保护层,获得复数奈米碳管。
申请公布号 TW200711998 申请公布日期 2007.04.01
申请号 TW094134368 申请日期 2005.09.30
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 发明人 张庆州;萧博元;何纪壮
分类号 C01B31/04(2006.01) 主分类号 C01B31/04(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
地址 台北县土城市自由街2号