发明名称 | 奈米碳管制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种奈米碳管制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,于该基底上形成复数微流道;于各微流道内之一端形成一催化剂;于各微流道内之相对之另一端形成一电极;于该催化剂与电极之间施加一电压,利用化学气相沈积法于微流道内生长奈米碳管,该奈米碳管将向电极方向生长;于奈米碳管上形成一保护层,该保护层覆盖微流道内奈米碳管之一预定长度;氧化去除未被保护层覆盖之奈米碳管;去除保护层,获得复数奈米碳管。 | ||
申请公布号 | TW200711998 | 申请公布日期 | 2007.04.01 |
申请号 | TW094134368 | 申请日期 | 2005.09.30 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 张庆州;萧博元;何纪壮 |
分类号 | C01B31/04(2006.01) | 主分类号 | C01B31/04(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |