可改善崩溃效应之超高密度沟槽MOSFET崩溃结构STRUCTURE FOR AVALANCHE IMPROVEMENT OF ULTRA HIGH DENSITY TRENCH MOSFET

摘要

一种沟槽金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)单元，它具有由一源极区域围绕着的沟槽闸极，而该源极区域则处于安置在基底底面的汲极之上的一个基极区域之内。该MOSFET单元还具有一个源极-基极接触沟槽，它开得使其侧壁实际上垂直于上表面而伸延到该源极与基极区域之内并充填以接触金属栓塞。形成一个用基极杂质掺杂的基极-电阻减小区域，以围绕该源极-基极接触沟槽来减小在该源极-基极接触金属与沟槽闸极之间的基极-区域电阻，从而改进崩溃能力。