发明名称 半导体元件及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体元件及其制造方法,可不引起制造过程的复杂性,而可使过程及特性安定,且在利用边区域可符合设计规则之减少者。本发明之半导体元件,具备有一在长轴方向形成有部有凹部之活性领域的矽基板;形成于矽基板内用来界定该活性领域的元件分隔膜;在该具有凹部的活性领域上形成较凹部长度为短的闸极;形成于该闸极外具有凹部之活线领域表面的源极/汲极扩张领域;形成于该闸极两侧壁之隔离器;及在含该等隔离器之闸齐两侧活性领域表面上形成的源极/汲极领域。
申请公布号 TW200713412 申请公布日期 2007.04.01
申请号 TW094138690 申请日期 2005.11.04
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 崔康植
分类号 H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/02(2006.01)
代理机构 代理人 郑再钦
主权项
地址 韩国