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发明名称
半导体元件及其制造方法
摘要
本发明提供一种半导体元件及其制造方法,可不引起制造过程的复杂性,而可使过程及特性安定,且在利用边区域可符合设计规则之减少者。本发明之半导体元件,具备有一在长轴方向形成有部有凹部之活性领域的矽基板;形成于矽基板内用来界定该活性领域的元件分隔膜;在该具有凹部的活性领域上形成较凹部长度为短的闸极;形成于该闸极外具有凹部之活线领域表面的源极/汲极扩张领域;形成于该闸极两侧壁之隔离器;及在含该等隔离器之闸齐两侧活性领域表面上形成的源极/汲极领域。
申请公布号
TW200713412
申请公布日期
2007.04.01
申请号
TW094138690
申请日期
2005.11.04
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
崔康植
分类号
H01L21/02(2006.01)
主分类号
H01L21/02(2006.01)
代理机构
代理人
郑再钦
主权项
地址
韩国
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