发明名称 包含不连续储存元件之电子装置
摘要 一种电子装置,其可包含位于一渠沟(22、23)内之不连续储存元件(64)。该电子装置可包含一包含一渠沟之基板,该渠沟包含一壁及一底部且自该基板(12)之一主要表面延伸。该电子装置亦可包含不连续储存元件,其中该等不连续储存元件之一部分至少位于该渠沟内。该电子装置可进一步包含一第一闸电极,其中该等不连续储存元件之该部分的至少一部分位于该第一闸电极与该架沟之该壁之间。该电子装置可再进一步包含一上覆该第一闸电极及该基板之该主要表面的第二闸电极。
申请公布号 TW200713280 申请公布日期 2007.04.01
申请号 TW095127050 申请日期 2006.07.25
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 高利珊卡L 琴德洛;克雷格T 史威特;保罗A 英格索
分类号 G11C16/04(2006.01) 主分类号 G11C16/04(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国