| 摘要 |
本发明系关于电绝缘之深沟渠绝缘(DTI)结构，其系形成于晶圆中且该等DTI结构之一部分转换为电连接结构以提供屏蔽功能，或提供与深掩埋层之连接。在一态样，DTI结构包括安置于深沟渠之内表面上之衬垫层上的多晶矽填充物(1008)，该多晶矽系藉由各向同性蚀刻移除(1016)，且该深沟渠系以传导性材料再填充(1018)。或者，该多晶矽填充物保留(1114)且形成一用以提供与多晶矽之电连接的接触。在另一态样，将深沟渠安置于晶圆内以使得其较低部分位于深掩埋层内，且在移除该多晶矽(1216)之后，各向异性蚀刻自该深沟渠底部移除(1217)深沟渠衬垫之一部分，因此允许钨沈积(1218)以与该深掩埋层电接触。 |
