利用原子氧于矽碳层上制造氧化层的方法

摘要

本发明揭示于矽碳层上形成氧化层之方法，该方法包括将矽碳层置于一基本上不含金属杂质之室(例如氧化炉管)内，将该室之空气加热至约500℃至约1300℃之温度，将原子氧引入该室内，且使该原子氧流经该矽碳层之表面从而于该矽碳层上形成一氧化层。在某些实施例中，引入原子氧包括在该室内提供一源氧化物且使氮气及氧气之混合物流经该源氧化物。该源氧化物可包括氧化铝或其他氧化物，例如二氧化锰。多数方法包括于一矽碳层上形成一氧化层且在包含原子氧之空气中对该氧化层实施退火。