发明名称 减压蒸镀装置及减压蒸镀方法
摘要 在要求高密集度及超微细加工之半导体装置等使用之蒸镀薄膜,对该蒸镀薄膜之污染物质,尤其有机物之吸附成为问题。将室内之气体压力保持于黏性流域的情况和保持于分子流域的情况相比,发现有机物之吸附显着变低的现象,根据本现象,藉由控制气体压力,在形成蒸镀薄膜时使气体压力成为分子流域,而在不蒸镀时使气体压力成为黏性流域,可形成有机物污染少的蒸镀薄膜。
申请公布号 TW200712228 申请公布日期 2007.04.01
申请号 TW094132810 申请日期 2005.09.22
申请人 大见忠弘 发明人 大见忠弘;寺本章伸
分类号 C23C14/24(2006.01) 主分类号 C23C14/24(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋
主权项
地址 日本