| 摘要 |
本发明系提供一种矽的制造方法，其特征为：系包含步骤(i)，该步骤(i)系藉由金属将以第(1)式所表示之卤化矽烷进行还原，SiHnX4-n (1)[式中，n为0至3的整数，X为由F、Cl、Br及I当中所选出之至少1种，当X为复数个时，复数个X可互为相同亦可互为不同]，上述金属之熔点为1300℃以下，于还原反应时为液相，且该液相的形状为球状或薄膜状，于球状时以该半径为r(μm)、反应时间为t(分)、反应温度为x(℃)时，系满足第(A)、(B)及(C)式，或是于薄膜状时以该厚度为r’(μm)、反应时间为t(分)、反应温度为x(℃)时，系满足第(A’)、(B’)及(C)式。1n(r/√ |
