形成矽氧化物膜的方法与装置

摘要

本发明揭示一种藉由CVD于一目标基板上形成一矽氧化物膜，在一制程场配置成选择性供应以含有一氯矽烷族系气体之一第一制程气体、含有Cl取代气体之一第二制程气体以及含有一氧化气体之一第三制程气体。此方法交替地包括第一至第六步骤。该等第一、第三及第五步骤分别执行该等第一、第二及第三制程气体之供应，同时停止该等其他两个制程气体之供应。该等第二、第四及第六步骤之各项停止该等第一至第三制程气体之供应。该等第三及第五步骤分别包括向该制程场分别供应该等第二及第三制程气体之一激发周期，同时藉由一激发机制激发该等个别制程气体。