发明名称 | 半导体结构及其制作方法 | ||
摘要 | 一种半导体结构,其位于晶圆之切割道区上,且环绕晶圆之晶片区,此半导体结构包括依序配置于切割道区上的多层介电层以及配置于每一层介电层中的多数个图案化金属。其中,每一层介电层中的图案化金属延伸至位于下一层的部分介电层中。 | ||
申请公布号 | TW200713437 | 申请公布日期 | 2007.04.01 |
申请号 | TW094133948 | 申请日期 | 2005.09.29 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 郭建利;吴炳昌;饶瑞孟 |
分类号 | H01L21/301(2006.01) | 主分类号 | H01L21/301(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |