| 摘要 |
一种非依电性记忆体元件及程式化过程系被描述，其系相关于在先前的程式化周期期间未通过程式化验证且未正确地被程式化到记忆体阵列中的资料位元所占的百分比来增加连续的程式化周期的程式化电压。此系容许有平均较快的程式化动作，以及在程式化电压上之后续的增加较准确的匹配于非依电性记忆体元件、特定的被程式化的区域或列、以及由于元件的损耗所造成的任何改变。在本发明的一个实施例中，制程/设计及/或特定的记忆体元件的特征在于产生一个未通过的位元百分比给程式化电压的增加简档，以设定所要的程式化电压差/增加。在本发明的一个实施例中，方法及装置系相关于资料的程式化到非依电性记忆体元件中，并且尤其是相关于NAND及NOR架构的快闪记忆体。 |
