发明名称 用于动态随机存取记忆体阵列之屏蔽位元线结构
摘要 一种用于动态随机存取记忆体和结合嵌入式动态随机存取记忆体之积体电路装置之屏蔽位元线结构。其包含一共用感测放大器与折叠位元线阵列,从一相邻非主动次阵列中使用一位元线作为主动阵列之一位元线之一参考。
申请公布号 TW200713269 申请公布日期 2007.04.01
申请号 TW095124481 申请日期 2006.07.05
申请人 茂德科技股份有限公司(子公司) PROMOS TECHNOLOGIES PTE. LTD. 发明人 道格拉斯 布莱恩 巴特勒
分类号 G11C11/401(2006.01) 主分类号 G11C11/401(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新加坡