发明名称 非挥发性记忆体电路及其设定方法
摘要 一种非挥发性记忆体电路,系由多数组记忆单元组成,每一组记忆单元包括第一开关、第二开关、资料线,以及多个叠接记忆元件。其中,第一开关之第一端耦接至第一电压。资料线耦接至第一开关之第二端。第二开关之第一端耦接至资料线。此外,在多个叠接记忆元件中,每一个记忆元件之第三端耦接至下一级记忆元件之第一端,每一个记忆元件之第二端耦接至第二电压。
申请公布号 TW200713265 申请公布日期 2007.04.01
申请号 TW094133318 申请日期 2005.09.26
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 叶致锴
分类号 G11C11/34(2006.01) 主分类号 G11C11/34(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号