发明名称 | 非挥发性记忆体电路及其设定方法 | ||
摘要 | 一种非挥发性记忆体电路,系由多数组记忆单元组成,每一组记忆单元包括第一开关、第二开关、资料线,以及多个叠接记忆元件。其中,第一开关之第一端耦接至第一电压。资料线耦接至第一开关之第二端。第二开关之第一端耦接至资料线。此外,在多个叠接记忆元件中,每一个记忆元件之第三端耦接至下一级记忆元件之第一端,每一个记忆元件之第二端耦接至第二电压。 | ||
申请公布号 | TW200713265 | 申请公布日期 | 2007.04.01 |
申请号 | TW094133318 | 申请日期 | 2005.09.26 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 叶致锴 |
分类号 | G11C11/34(2006.01) | 主分类号 | G11C11/34(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |