| 发明名称 |
具有防止源汲极区掺杂离子在接面区外扩散的电晶体结构及其制作方法 |
| 摘要 |
本发明系揭露一种具有防止源汲极区掺杂离子在接面区外扩散的电晶体结构及其制作方法，其系于半导体基底上形成材质为具有掺杂离子的含碳-矽化锗(SiGe：C)嵌入式源汲极，利用碳能够抑制掺杂离子扩散的特性，来形成兼具低接触电阻与能抑制掺杂离子扩散的源汲极区，进而提高元件的可靠度。 |
| 申请公布号 |
TW200713470 |
申请公布日期 |
2007.04.01 |
| 申请号 |
TW094133250 |
申请日期 |
2005.09.23 |
| 申请人 |
国立交通大学 |
发明人 |
罗广礼;杨宗 YANG, TSUNG HSI;张翼;张俊彦 |
| 分类号 |
H01L21/38(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/38(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林火泉 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市东区大学路1001号 |
