垂直式电晶体及其制造方法

摘要

本发明揭示一种垂直式电晶体。一具有第一导电性之第一矽层系位于一基底之一凹陷区并突出于基底表面。一具有相反于第一导电性之第二导电性之第二矽层系位于第一矽层上。一对绝缘间隙壁系位于第一矽层上，且分别位于第二矽层两侧之侧壁。一对导电间隙壁系位于基底上，且分别位于第一矽层两侧之侧壁。一对第一介电层系位于每一导电间隙壁与基底之间。一对第二介电层系位于每一导电间隙壁与第一矽层之间。