发明名称 电致发光二极体晶片及其制造方法
摘要 一种制造电致发光二极体晶片之方法,其中须制备一基体,其具有一种电致发光二极体晶片用之层序列,此层序列适合用来发出电磁辐射。在该基体的至少一主面上施加一覆盖层。覆盖层中设有至少一空腔,空腔中完全或一部份似电致发光转换材料填入。此电致发光转换材料具有至少一发光材料。此外,本发明提供一种方法,其中该覆盖层具有光学上可结构化的材料以及至少一发光材料,使此覆盖层可用作电致发光转换材料且可直接以光学方式而被结构化。此外,本发明描述一种电致发光二极体晶片,其可以上述方法制成。
申请公布号 TW200713644 申请公布日期 2007.04.01
申请号 TW095131235 申请日期 2006.08.25
申请人 欧斯朗奥托半导体股份有限公司 发明人 艾华德卡罗麦可冈什;赫伯特布伦纳;哈姆费却;迪特艾斯勒;亚历山大海德
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 德国