| 主权项 |
1.一种反射型显示装置,其包含: 一主动开关层,其包括复数个开关元件; 复数个像素电极,其各连接至该等复数个开关元件 之一对应开关元件; 一反射层,其形成于该主动开关层与该等复数个像 素电极之间;及 一调变层,其被提供于该等像素电极之一面向一观 察者之侧处,该调变层能够在分别具有不同光学特 性之一第一状态与一第二状态之间切换, 其中该反射层既未连接至该等复数个开关元件、 亦未连接至该等复数个像素电极。 2.如请求项1之反射型显示装置,其中该反射层系存 在于邻接像素电极之间的间隙下方。 3.如请求项1之反射型显示装置,其中该反射层未被 分为若干对应于若干像素之部分。 4.如请求项1之反射型显示装置,其中该反射层具有 复数个开口,且该等复数个像素电极之每一者经由 该反射层中之该等复数个开口中之一对应开口而 连接至该对应开关元件。 5.如请求项1之反射型显示装置,其进一步包含用于 分别连接该等复数个像素电极与该等对应开关元 件之复数个接触部分,该等复数个接触部分之每一 者系经由该反射层中之该等复数个开口之一对应 开口而提供,其中每一接触部分具有一小于每一开 口之一直径的直径。 6.如请求项1之反射型显示装置,其中该反射层具有 回向反射特性。 7.如请求项6之反射型显示装置,其中该反射层包括 复数个单元特征之一二维阵列,且邻接像素电极之 间之该等间隙未与该反射层之该等单元特征对准 。 8.如请求项7之反射型显示装置,其中该反射层之该 等单元特征为立方体隅角棱镜。 9.如请求项8之反射型显示装置,其中每一像素电极 具有一大体上为矩形之平面形状,且关系 ((√_3 )/6Ppix(L)Pcc+Ppix(S)Pcc/2)/(Ppix(L)Ppix(S))>0.005 被满足,其中Ppix(S)为该等像素电极沿其较短边之 一方向之一间距;PPix(L)为该等像素电极沿其较长 边之一方向之一间距;且Pcc为该等立方体隅角棱镜 之一间距。 10.如请求项8之反射型显示装置,其中每一像素电 极具有一大体上为矩形之平面形状,且关系 ((√_3 )/6Ppix(L)Pcc+Ppix(S)Pcc/2)/(Ppix(L)Ppix(S))>0.01 被满足,其中Ppix(S)为该等像素电极沿其较短边之 一方向之一间距;PPix(L)为该等像素电极沿其较长 边之一方向之一间距;且Pcc为该等立方体隅角棱镜 之一间距。 11.如请求项8之反射型显示装置,其中关系 ((√_3)+3)/6Pcc/Ppix>0.005 被满足,其中Ppix为该等像素电极之一间距;且Pcc为 该等隅角棱镜之一间距。 12.如请求项8之反射型显示装置,其中关系 ((√_3)+3)/6Pcc/Ppix>0.01 被满足,其中Ppix为该等像素电极之一间距;且Pcc为 该等隅角棱镜之一间距。 13.如请求项6之反射型显示装置,其中该调变层能 够在一光散射状态与一光透射状态之间切换。 14.一种用于制造一反射型显示装置之方法,该方法 包含以下步骤: 提供一基板,该基板具有一形成于其上之主动开关 层,该主动开关层包括复数个开关元件; 在该主动开关层上形成一绝缘层; 在该绝缘层上形成一反射层,该反射层具有复数个 开口; 在该反射层上形成一平坦化树脂层; 在该平坦化树脂层上形成复数个像素电极,该等复 数个像素电极之每一者连接至该等复数个开关元 件之一对应开关元件;及 在该等复数个像素电极上提供一调变层,该调变层 能够在分别具有不同光学特性之一第一状态与一 第二状态之间切换, 其中该等复数个像素电极之每一者经由该反射层 中之该等复数个开口之一对应开口而连接至该对 应开关元件。 图式简单说明: 图1A为展示习知回向反射型LCD之结构的示意性截 面图。图1B为展示图1A之显示装置中之反射电极的 平面图。 图2A、2B及2C为展示根据本发明之反射型LCD之结构 的视图。图2A为平面图;且图2B与2C分别为沿图2A中 之线2b-2b'与2c-2c'所取之截面图。 图3A、3B、3C、3D及3E为说明用于制造本发明中后基 板之例示性方法之步骤的截面图。 图4A与4B分别为展示本发明之第一实施例中后基板 之结构的平面图与截面图(沿图4A中之线4b-4b'所取) 。 图5A、5B及5C为说明用于形成本发明之第一实施例 中后基板之步骤的平面图。 图6A、6B及6C分别为沿图5A至5C中之线6a-6a'、6b-6b'及 6c-6c'所取之截面图。 图7为说明习知回向反射型LCD中像素电极之形状的 平面图。 图8为说明根据本发明之第一实施例之回向反射型 LCD中像素电极之形状的平面图。 图9A及9B为说明习知回向反射型LCD之操作的说明图 。 图10A及10B为说明根据本发明之第一实施例之回向 反射型LCD之操作的说明图。 图11A、11B、11C、11D、11E、11F、11G、11H、11I及11J为 说明用于制造第一实施例中后基板之另一例示性 方法之步骤的截面图。 图12A、12B、12C、12D、12E、12F、12G、12H及12I为说明 用于制造第一实施例中后基板之又一例示性方法 之步骤的截面图。 图13A与13B分别为展示本发明之第二实施例中后基 板之结构的平面图与截面图(沿图13A中之线13b-13b' 所取)。 图14A及14B为说明习知漫反射型LCD之操作的说明图 。 图15A及15B为说明根据本发明之第二实施例之漫反 射型LCD之操作的说明图。 图16A及16B为用于解释习知回向反射型LCD中像素电 极之间的间隙宽度之设计値与实际値之间的关系 之示意性放大图。 图17A及17B为用于解释根据本发明之第一实施例之 回向反射型LCD中像素电极之间的间隙宽度之设计 値与实际値之间的关系之示意性放大图。 |
