| 主权项 |
1.一种奈米晶粒阻变记忆体之记忆体单元,系包括: 由半导体材料所形成之通道;以及 位于该通道中之复数个奈米晶粒,该复数个奈米晶 粒系作为电荷之储存之用,以决定通道之电性,并 能藉施加于该通道之电压对该复数个奈米晶粒进 行电荷之存取。 2.如申请专利范围第1项之奈米晶粒阻变记忆体之 记忆体单元,其中,该半导体材料系无机半导体材 料和有机半导体材料中之至少一者。 3.如申请专利范围第1项之奈米晶粒阻变记忆体之 记忆体单元,其中,该半导体材料系具掺杂之多晶 矽材料。 4.如申请专利范围第1项之奈米晶粒阻变记忆体之 记忆体单元,其中,各该奈米晶粒系包括导电粒子 以及外覆于该导电粒子之绝缘层。 5.一种奈米晶粒阻变记忆体,系包括: 至少一记忆体单元,其包括有由半导体材料所组成 之通道;以及位于该通道中之复数个奈米晶粒,该 复数个奈米晶粒系作为电荷之储存之用,以决定通 道之电性,并能藉施加于该通道之电压对该复数个 奈米晶粒进行电荷之存取;以及 读取通过该记忆体单元之电流之元件。 6.如申请专利范围第5项之奈米晶粒阻变记忆体,其 中,该半导体材料系无机半导体材料和有机半导体 材料中至少一者。 7.如申请专利范围第5项之奈米晶粒阻变记忆体,其 中,该半导体材料系具掺杂之多晶矽材料。 8.如申请专利范围第5项之奈米晶粒阻变记忆体,其 中,各该奈米晶粒系包括导电粒子以及外覆于该导 电粒子之绝缘层。 9.如申请专利范围第5项之奈米晶粒阻变记忆体,其 中,该读取电流之元件系电晶体。 10.一种读取如申请专利范围第5项之奈米晶粒阻变 记忆体之电阻値而产生记忆体功效之读取方法,系 包括下列步骤: 于未施加特定电压时,读取该奈米晶粒阻变记忆体 之电阻; 施加特定电压于该记忆体; 自该记忆体移除该特定电压;以及 于移除该特定电压之后,读取记忆体之电阻。 11.如申请专利范围第10项之读取方法,其中,所施加 之特定电压需足以将电荷存入位于该奈米晶粒阻 变记忆体中之奈米晶粒内。 12.如申请专利范围第10项之读取方法,其中,于移除 该特定电压之后,用以读取该记忆体之电阻之电压 需小于该特定电压。 13.如申请专利范围第12项之读取方法,其中,该用以 读取记忆体电阻之电压需小于记忆抹除之电压。 图式简单说明: 第1图系传统奈米晶粒记忆体之剖面示意图; 第2图系说明本发明之记忆体单元示意图; 第3图系本发明之电路示意图; 第4A图系依照本发明之实施例之未加电压时之记 忆体单元示意图; 第4B图系依照本发明之实施例之加一较高电压时 之记忆体单元示意图;以及 第4C图系依照本发明之实施例之施加电压后储存 电荷对半导体通道形成空乏之记忆体单元示意图 。 |
