| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体之制造方法,包括: 在基板上形成非晶质之矽膜的矽膜形成步骤; 在该矽膜上形成界面保护膜的界面保护膜形成步 骤; 对已形成该界面保护膜的基板照射雷射,而对该矽 膜施行回火处理的雷射回火步骤;以及 在经雷射回火过的基板上,形成闸绝缘膜的闸绝缘 膜形成步骤; 其特征在于: 该矽膜与界面保护膜系在保持真空状态下依序形 成。 2.一种薄膜电晶体之制造方法,包括: 在基板上形成非晶质之矽膜的矽膜形成步骤; 在该矽膜上形成界面保护膜的界面保护膜形成步 骤; 对该基板照射雷射,而对该矽膜施行回火处理的雷 射回火步骤; 对经雷射回火后的矽膜施行图案化处理的照相制 版步骤;以及 在经雷射回火过的基板上,形成闸绝缘膜的闸绝缘 膜形成步骤; 其特征在于: 该矽膜与界面保护膜系在保持真空状态下依序形 成。 3.如申请专利范围第2项之薄膜电晶体之制造方法, 其中,该雷射回火步骤系由对已形成界面保护膜的 图案化前之基板,施行雷射照射的步骤所构成。 4.如申请专利范围第1或2项之薄膜电晶体之制造方 法,其中,该界面保护膜形成步骤系由利用电浆CVD 形成绝缘性界面保护膜的步骤所构成。 5.如申请专利范围第1或2项之薄膜电晶体之制造方 法,系更包含有在该基板上形成底涂膜的底涂膜形 成步骤; 而,该矽膜形成步骤系由在该底涂膜上形成非晶质 之矽膜的步骤所构成; 该底涂膜、矽膜及界面保护膜系在保持真空状态 下依序形成。 6.如申请专利范围第1或2项之薄膜电晶体之制造方 法,其中,该界面保护膜形成步骤系由在该非晶矽 膜上所形成的界面保护膜,乃由与闸绝缘膜相同组 成所构成绝缘膜的步骤所构成。 7.如申请专利范围第6项之薄膜电晶体之制造方法, 其中,该界面保护膜与闸绝缘膜系氧化矽膜。 8.如申请专利范围第1或2项之薄膜电晶体之制造方 法,其中,该雷射回火步骤系对已形成矽膜的基板 照射YAG雷射,使此照射区域平行于基板面进行扫描 的步骤所构成。 9.如申请专利范围第1或2项之薄膜电晶体之制造方 法,系更包含有在形成该间绝缘膜之前,便去除该 界面保护膜的界面保护膜去除步骤。 10.如申请专利范围第9项之薄膜电晶体之制造方法 ,其中,该保护膜去除步骤系由在图案化处理后,再 去除界面保护膜的步骤所构成。 11.一种薄膜电晶体,包括: 多晶矽膜,对基板上的非晶质之矽膜照射YAG雷射而 所获得; 界面保护膜,在与该矽膜间之界面未形成自然氧化 膜的情况下所形成;以及 闸绝缘膜,在该界面保护膜上所形成。 12.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体之制造方法 ,其中,该界面保护膜系由至少含1层绝缘膜之层所 形成。 13.如申请专利范围第12项之薄膜电晶体之制造方 法,其中,该界面保护膜系氧化矽膜单层。 14.如申请专利范围第13项之薄膜电晶体之制造方 法,其中,该氧化矽膜膜厚系4nm以上、且200nm以下。 15.如申请专利范围第12项之薄膜电晶体之制造方 法,其中,该界面保护膜系由2层以上绝缘膜所构成 的多层膜。 16.如申请专利范围第15项之薄膜电晶体之制造方 法,其中,该界面保护膜系含氧化矽膜(SiO2)与氮化 矽膜(SiN)的积层膜。 17.如申请专利范围第12项之薄膜电晶体之制造方 法,其中,该界面保护膜膜厚系达该雷射回火中所 使用雷射光的抗反射膜膜厚。 18.如申请专利范围第17项之薄膜电晶体之制造方 法,其中,该界面保护膜系氧化矽膜单层,膜厚为87nm 以上且98nm以下。 19.如申请专利范围第12至18项中任一项之薄膜电晶 体之制造方法,其中,该雷射系YAG雷射。 20.一种薄膜电晶体,包括:绝缘性基板、多晶矽膜 、闸绝缘膜、及闸极的薄膜电晶体; 其特征在于: 该多晶矽膜的膜中氧浓度系11018个/cm3以上、且11 020个/cm3以下。 图式简单说明: 第1(a)图至第1(d)图为本发明实施形态1的低温复晶 矽TFT之制造程序,重要部分之一例的步骤图。 第2图为本发明实施形态1的薄膜电晶体之一构造 例剖视图。 第3图为本发明实施形态1的低温复晶矽TFT之制造 方法,重要部分之一例的流程图。 第4图为本发明实施形态2的低温复晶矽TFT之制造 方法,重要部分之一例的流程图。 第5图为习知低温复晶矽TFT构造例剖视图。 第6(a)图至第6(d)图为习知低温复晶矽TFT之制造程 序,重要部分之一例的步骤图。 第7(a)图至第7(d)图为本发明实施形态3的低温复晶 矽TFT之制造程序,重要部分之一例的步骤图。 第8图为本发明实施形态4的低温复晶矽TFT之制造 程序,重要部分之一例的步骤图。 第9图为本发明实施形态3的低温复晶矽之制造程 序,界面保护膜膜厚与多晶矽膜表面凹凸间之关系 图。 第10图为本发明实施形态5的低温复晶矽之制造程 序,界面保护膜的氧化矽膜膜厚、与YAG雷射光反射 率间之关系图。 |
