| 主权项 |
1.一种平面化基材之方法,该方法包括: 在该基材上形成一具有一第一形状之轮廓层;以及 对该轮廓层加工,使该第一形状补偿加工时的误差 ,以便在加工该轮廓层后,该轮廓层包括一实质平 坦形状。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中加工该轮廓层 进一步包括以一在该轮廓层上具有不同蚀刻速率 之蚀刻化学剂蚀刻该轮廓层。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中加工该轮廓层 进一步包括以一在该轮廓层上具有不同蚀刻速率 之蚀刻化学剂蚀刻该轮廓层,该第一形状补偿该不 同蚀刻速率。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该轮廓层 进一步包括使该轮廓层接触一样板,该第一形状为 该样板之轮廓的相反。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中加工该轮廓层 进一步包括以一在该轮廓层上具有不同蚀刻速率 之蚀刻化学剂蚀刻该轮廓层,该方法进一步包括使 一样板暴露至该蚀刻化学剂以在其中形成一轮廓, 并使该轮廓层接触该样板,该第一形状为该样板之 轮廓的相反。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中加工该轮廓层 进一步包括以一在该轮廓层上具有不同蚀刻速率 之蚀刻化学剂蚀刻该轮廓层,该方法进一步包括使 一样板暴露至该蚀刻化学剂以在其中形成一轮廓, 并使该轮廓层接触在其中形成该第一形状之该样 板,该接触进一步包括使该样板与该基材对准,以 使该第一形状补偿该不同蚀刻速率。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该轮廓层 进一步包括提供复数个区域予该轮廓层,各该复数 个区域分别具有一厚度,其中加工该轮廓层进一步 包括以一在该轮廓层上具有不同蚀刻速率之蚀刻 化学剂蚀刻该轮廓层,各该复数个区域之厚度补偿 该不同蚀刻速率。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该轮廓层 进一步包括使该第一形状实质非平坦。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法进一步 包括将一图案化层设置于该基材与该轮廓层之间, 该图案化层包括复数个具有一梯级高度之突出部, 第一厚度被定义于该复数个突出部之一第一子集 与该轮廓层之一表面之间,第二厚度被定义于该复 数个突出部之一第二子集与该轮廓层之该表面之 间,该第一厚度与该第二厚度之间的误差小于该梯 级高度。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法进一 步包括将一图案化层设置于该基材与该轮廓层之 间,该图案化层包括复数个具有一梯级高度之突出 部,其中加工该轮廓层进一步包括使该轮廓层之该 实质平坦形状的误差小于该梯级高度。 图式简单说明: 第1图为一被暴露至蚀刻制程以前之基材的简化立 视图; 第2图为一被暴露至蚀刻制程以后之基材的简化立 视图; 第3图为第1图中该基材被暴露至蚀刻制程以后之 样板的简化立视图; 第4图为该样板在与一多层结构之压印层接触以前 的简化立视图; 第5图为第4图中该压印层在被聚合且交联以前之 组成材料的简化代表图; 第6图为第5图中该材料在承受辐射以后所转换之 交联聚合材料的简化代表图; 第7图为与该多层结构之压印材料接触的该样板之 简化立视图; 第8图为与该多层结构隔开之该样板在该压印材料 被图案化以后的简化立视图; 第9图为与该多层结构叠印之该样板的简化立视图 ,其中显示某一方向上的对准偏差; 第10图为该样板与该多层结构之顶视图,其中显示 两横切方向上的对准偏差; 第11图为该样板与该多层结构之顶视图,其中显示 角度偏差; 第12图为该压印层在被暴露至蚀刻制程以后的简 化立视图; 第13图为一包括一基材与一图案化层之第二多层 结构的简化立视图; 第14图为该第二多层结构之简化立视图,其中该第 二多层结构上方具有一形成一第三多层结构之压 印层,该第三多层结构与一样板隔开; 第15图为该第三多层结构在被暴露至蚀刻制程以 后的简化立视图; 第16图为具有一形成于其上方之冠状表面的该第 三多层结构之简化立视图; 第17图为第15图中该第三多层结构之一区域的分解 图; 第18图为具有一倾斜表面之该第三多层结构的简 化立视图;以及 第19图为第2图中该基材之顶视图,其中显示非平坦 区域。 |
