| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为:具备外部连接用电极 之接合垫片,系由形成于最上层之第1垫片金属层 、和于前述第1垫片金属层之下方,挟持层间绝缘 膜所形成之第2垫片金属层、以及贯通前述层间绝 缘膜地形成在前述第1垫片金属层之下而电性连接 第1垫片金属层与第2垫片金属层之通孔所形成,第1 垫片金属层之端部与第2垫片金属层之端部系在与 接合垫片之主面垂直的方向之不同位置上作设置 。 2.一种半导体装置,其中包含具备外部连接用电极 之接合垫片及探针垫片,前述接合垫片系由形成于 最上层之第1垫片金属层、和于前述第1垫片金属 层之下方,挟持层间绝缘膜所形成之第2垫片金属 层、以及贯通前述层间绝缘膜而电性连接第1垫片 金属层与第2垫片金属层之通孔所形成,前述第1垫 片金属层之端部与第2垫片金属层之端部系在与接 合垫片之主面垂直的方向之不同位置上作设置,前 述探针垫片系仅利用前述第1垫片金属层所构成。 3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其 中第1垫片金属层之端部与第2垫片金属层之端部 系偏位1.5~2m。 4.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其 中第2垫片金属层之端部系比第1垫片金属层之端 部还偏外侧。 5.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置,其 中第2垫片金属层之端部系比第1垫片金属层之端 部还偏内侧。 6.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中于第2 垫片领域之第1垫片金属层之下方,挟持层间绝缘 膜而形成与第2垫片金属层同一层的方式设置复数 个缓冲金属。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中于垫片 部之下层,设置有电路元件或配线。 8.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中于第1 垫片领域和第2垫片领域之至少一方之下层,设置 电路元件或配线。 图式简单说明: 第1A图、第1B图各表示本发明之第1实施例之半导 体装置之垫片部和其周边部构造之平面图及剖面 图。 第2A、B、C图为表示第1图之垫片部之各层平面图 。 第3A图、第3B图各自表示第1图之垫片部之检测( probing)及焊接孔时状态平面图及剖面图。 第4A图、第4B图各自表示本发明之第2实施例之半 导体装置之垫片部和其周边部构造之平面图及剖 面图。 第5A、B、C图为表示第4A、B图之垫片部之各层平面 图。 第6A图、第6B图各自表示本发明之第3实施例之半 导体装置之垫片部和其周边部构造之平面图及剖 面图。 第7A、B、C图为表示第6A、B图之垫片部之各层平面 图。 第8A、B图各自表示第6A、B图之垫片部之检测( probing)及焊接孔时状态平面图及剖面图。 第9图为表示复数配置第6A、B图之垫片部样子平面 图。 第10图为表示复数配置第6A、B图之垫片部样子之 另外平面图。 第11A图、第11B图各自表示传统之半导体装置之垫 片部和其周边部构造之平面图及剖面图。 第12图为表示产生于积层构造之电极垫片之层间 绝缘膜之应力分布图。 |
