| 主权项 |
1.一种用以监控碳奈米管的方法,该方法包含: 藉由一雷射光束操控一流体中的一碳奈米管(CNT); 沿着该碳奈米管的轴线对准来自一光源的一照明 光线,以从该碳奈米管产生一光学响应;以及 依据该光学响应并使用一光学感应器以监控该碳 奈米管。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该操控包 含下述的其中之一:捕获该碳奈米管、移动该捕获 的碳奈米管、释放该捕获的碳奈米管、藉由偏极 化该雷射光束以对准该捕获的碳奈米管,以及固定 该碳奈米管。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该对准包 含: 沿着该碳奈米管的该轴线对准来自一卤素灯的一 照明光线。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该对准包 含: 沿着该碳奈米管的该轴线偏极化该照明光线。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该偏极化 包含: 沿着该碳奈米管的该轴线偏极化该照明光线,以从 该碳奈米管的瑞利散射产生一绿光。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该监控包 含: 使用耦接至一暗场显微镜的该光学感应器观测该 光学响应。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该光学感 应器系为一摄影机及一录影机的其中之一。 8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该监控包 含: 使用耦接至一暗场显微镜的一光学感应器观测该 绿光。 9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该监控更 包含: 依据该已观测光学响应的强度与移动其中之一控 制该雷射光束,以影响该碳奈米管的操控。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中控制该 雷射光束包含下述的其中之一:变动该雷射光束的 频率、改变该雷射光束焦点的位置、关闭该雷射 光束、阻挡该雷射光束、过滤该雷射光束以减低 雷射强度、移动该雷射光束通过一液固界面,以及 偏极化该雷射光束。 11.一种用以监控碳奈米管的装置,该装置包含: 一雷射,用以将一雷射光束聚焦至一流体中的一碳 奈米管(CNT)以实行该碳奈米管的操控; 一显微镜,用以沿着该碳奈米管的轴线对准来自一 光源的一照明光线,以从该碳奈米管产生一光学响 应;以及 一光学感应器,其耦接至该显微镜,用以依据该光 学响应监控该碳奈米管。 12.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该操控 包含下述的其中之一:捕获该碳奈米管、移动该捕 获的碳奈米管、释放该捕获的碳奈米管、藉由偏 极化该雷射光束以对准该捕获的碳奈米管,以及固 定该碳奈米管。 13.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该显微 镜包含: 一偏光板,用以沿着该碳奈米管的该轴线对准来自 一卤素灯的该照明光线。 14.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该偏光 板沿着该碳奈米管的该轴线偏极化该照明光线。 15.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该偏光 板沿着该碳奈米管的该轴线偏极化该照明光线,以 从该碳奈米管的瑞利散射产生一绿光。 16.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该光学 感应器允许以该显微镜的一暗场组态观测该光学 响应。 17.如申请专利范围第16项所述之装置,其中该光学 感应器系为一摄影机及一录影机的其中之一。 18.如申请专利范围第15项所述之装置,其中该光学 感应器允许以该显微镜的一暗场组态观测该绿光 。 19.如申请专利范围第16项所述之装置,更包含: 一控制器,用以依据该已观测光学响应的强度与移 动其中之一控制该雷射光束,以影响该碳奈米管的 操控。 20.如申请专利范围第19项所述之装置,其中该控制 器藉由下述方法的其中之一控制该雷射光束:变动 该雷射光束的频率、改变该雷射光束焦点的位置 、关闭该雷射光束、阻挡该雷射光束、过滤该雷 射光束以减低雷射强度、移动该雷射光束通过一 液固界面,以及偏极化该雷射光束。 21.一种用以监控碳奈米管的系统,该系统包含: 一光源,用以产生一照明光源;以及 一监控器,其耦接至该光源,该监控器包含: 一雷射,用以将一雷射光束聚焦至一流体中的一碳 奈米管(CNT)以实行该碳奈米管的操控, 一显微镜,用以沿着该碳奈米管的轴线对准来自一 光源的一照明光线,以从该碳奈米管产生一光学响 应,以及 一光学感应器,其耦接至该显微镜,用以依据该光 学响应监控该碳奈米管。 22.如申请专利范围第21项所述之系统,其中该操控 包含下述的其中之一:捕获该碳奈米管、移动该捕 获的碳奈米管、释放该捕获的碳奈米管、藉由偏 极化该雷射光束以对准该捕获的碳奈米管,以及固 定该碳奈米管。 23.如申请专利范围第21项所述之系统,其中该显微 镜包含: 一偏光板,用以沿着该碳奈米管的该轴线对准来自 该光源的该照明光线,该光源为一卤素灯。 24.如申请专利范围第21项所述之系统,其中该偏光 板沿着该碳奈米管的该轴线偏极化该照明光线。 25.如申请专利范围第24项所述之系统,其中该偏光 板沿着该碳奈米管的该轴线偏极化该照明光线,以 从该碳奈米管的瑞利散射产生一绿光。 26.如申请专利范围第21项所述之系统,其中该光学 感应器允许以该显微镜的一暗场组态观测该光学 响应。 27.如申请专利范围第26项所述之系统,其中该光学 感应器系为一摄影机及一录影机的其中之一。 28.如申请专利范围第25项所述之系统,其中该光学 感应器允许以该显微镜的一暗场组态观测该绿光 。 29.如申请专利范围第26项所述之系统,更包含: 一控制器,用以依据该已观测光学响应的强度与移 动其中之一控制该雷射光束,以影响该碳奈米管的 操控。 30.如申请专利范围第29项所述之系统,其中该控制 器藉由下述方法的其中之一控制该雷射光束:变动 该雷射光束的频率、改变该雷射光束焦点的位置 、关闭该雷射光束、阻挡该雷射光束、过滤该雷 射光束以减低雷射强度、移动该雷射光束通过一 液固界面,以及偏极化该雷射光束。 图式简单说明: 第1图系为一图式,用以说明一系统,其可以实行本 发明的一实施例。 第2图系为一图式,用以说明根据本发明一实施例 碳奈米管之操控。 第3图系为一图式,用以说明本发明一实施例可以 实行的碳奈米管之操控,其系使用具有不同黏滞度 的多个层。 第4图系为一图式,用以说明根据本发明一实施例 使用偏极化雷射光束的碳奈米管之操控。 |
