| 主权项 |
1.一种制备掺杂五矽型沸石之方法,此方法包括下 列步骤: a)自矽源、铝源和掺杂之非沸石型晶种来制备含 水之前驱体混合物,及 b)热处理该前驱体混合物而形成掺杂五矽型沸石 。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该掺杂五矽型 沸石是掺杂ZSM-5。 3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该非沸石 型晶种是X-射线非晶形。 4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该非沸石 型晶种是具有不超过75%的相对晶度之研磨结晶物 质。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中该研磨结晶物 质具有不超过60%之相对晶度。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该研磨结晶物 质具有不超过50%之相对晶度。 7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该非沸石 型晶种是除去沸石以外之结晶物质。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该非沸石型晶 种系由下列各元素组成之群中选出之一种掺杂剂: Ce、La、Zr、Mn、Fe、Ti、Cu、Ni、Zn、Mo、W、V、Sn、 Pt、Pd、Ga、B和P所掺杂。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽源系由下 列各化合物组成之群中选出:(偏)矽酸钠、稳定化 之矽溶胶、矽凝胶、聚矽酸、四乙基正矽酸盐、 薰矽石、沉淀矽石及其混合物。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该铝源系由 下列各化合物组成之群中选出:Al2(SO4)3、AlCl3、AlPO 4、Al2(HPO4)3、Al(H2PO4)3、氢氧化铝(Al(OH)3)、热处理 之氢氧化铝、(假)水铝土、氯二聚分子铝、硝基 二聚分子铝及其混合物。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中一成形步骤 系在步骤(a)与步骤(b)间予以实施。 |
