| 主权项 |
1.一种制造MOS电晶体之方法,包括: 提供一半导体基底; 于该半导体基底上形成一闸极结构; 进行一布植(implantation)制程,以于该闸极结构两侧 之该半导体基底中分别形成一非晶化或化学结构 变化之布植区,做为源极/汲极之一预定区; 进行一蚀刻制程,以实质上完全去除各该布植区而 分别形成一凹槽;以及 进行一选择性磊晶成长(selective epitaxial growth, SEG) 制程,以于该等凹槽填入磊晶,分别形成该MOS电晶 体之源极/汲极。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸极结 构系具有一闸极氧化物层(gate oxide)及位于该闸极 氧化层上之一闸极,及该闸极之顶表面具有一顶盖 层(cap layer)。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该布植制 程之掺杂物系选自硼、锗、砷、磷、锑、或氙之 原子或离子。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该布植制 程包括一预先非晶化布植(preamorphizing implantation), 俾使该半导体基底上所形成之布植区非晶化。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸极结 构之相对两侧壁之外表面上另具有一氧化物-氮化 物-氧化物偏位侧壁子(ONO offset spacer)。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该布植制 程系为一倾角布植(tilt-angle implantation)制程,且该 等凹槽系部分位于该氧化物-氮化物-氧化物偏位 侧壁子之底端。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,在进行该布植 制程后,更包括一进行退火程序。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中以选自该 布植制程之掺杂物(specified species)、掺杂剂量( dosage)、布植能量(energy)、布植倾角(tilt angle)以及 该退火程序之温度、时间之参数控制该MOS电晶体 之源极/汲极之外形(profile)。 9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该退火程 序系为一快速热处理制程(rapid thermal processing, RTP) ,且其温度系介于1070℃~1100℃之间。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻 制程为湿蚀刻。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该湿蚀 刻系使用热磷酸(phosphoric acid, H3PO4)溶液作为一蚀 刻溶液。 12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻 制程为乾蚀刻。 13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中被填入 该等凹槽之该磊晶系由矽与锗之其中至少一者所 组成。 14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中被填入 该等凹槽之该磊晶系由矽与碳之其中至少一者所 组成。 15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该磊晶 更包括掺杂物(dopant)。 16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该MOS电 晶体为PMOS电晶体。 17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该MOS电 晶体为NMOS电晶体。 18.一种形成半导体装置之源极/汲极区之方法,包 括: 提供一半导体基底,该半导体基底上具有源极/汲 极预定区; 进行一布植(implantation)制程,以于该源极/汲极预定 区形成一非晶化或化学结构变化之布植区; 进行一蚀刻制程,以实质上完全去除该布植区而形 成凹槽;及 进行一选择性磊晶成长制程,以于该凹槽填入磊晶 。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该布植 制程之掺杂物系选自硼、锗、砷、磷、锑、或氙 之原子或离子。 20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该布植 制程包括一预先非晶化布植(preamorphizing implantation ),俾使该源极/汲极预定区非晶化。 21.如申请专利范围第18项所述之方法,在进行该布 植制程后,更包括一进行退火之程序。 22.如申请专利范围第18项所述之方法,其中以选自 该布植制程之掺杂物(specified species)、掺杂剂量( dosage)、布植能量(energy)、布植倾角(tilt angle)以及 该退火程序之温度、时间之参数控制该源极/汲极 之外形(profile)。 23.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该退火 之程序系为一快速热处理制程(rapid thermal processing , RTP),且其温度系介于1070℃与1100℃之间。 24.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该蚀刻 制程为湿蚀刻。 25.如申请专利范围第24项所述之方法,其中该湿蚀 刻系使用热磷酸(phosphoric acid, H3PO4)溶液作为一蚀 刻溶液。 26.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该蚀刻 制程为乾蚀刻。 27.如申请专利范围第18项所述之方法,其中被填入 该凹槽之该磊晶系由矽与锗之其中至少一者所组 成。 28.如申请专利范围第18项所述之方法,其中被填入 该凹槽之该磊晶系由矽与碳之其中至少一者所组 成。 29.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该磊晶 更包括掺杂物(dopant)。 图式简单说明: 第1图为一习知技术之利用乾蚀刻方法移除源极/ 汲极预定区域后之剖面示意图。 第2图为习知技术之制造半导体装置之剖面示意图 。 第3至8图为依据本发明之方法制造MOS之剖面示意 图。 第9图为依据本发明之方法制造MOS过程中,在As布植 及RTP后,测得之SIMS图,显示半导体基底中源极/汲极 之预定区中布植As浓度与深度之关系。 第10图为依据本发明之方法制造MOS过程中,形成源 极/汲极预定区凹槽后之扫描式电子显微图。 |
