| 主权项 |
1.一种液晶显示装置之主动阵列基板,包括: 一透明基板; 复数条平行于一第一方向之资料线配置于该透明 基板上,且部份突出延伸覆盖复数个主动元件区; 一低介电常数绝缘层覆盖该些资料线和该透明基 板,该低介电常数绝缘层中具有复数个接触窗开口 暴露出该些资料线突出处之表面; 复数像素电极配置于该低介电常数绝缘层上; 复数导线经由该低介电常数绝缘层之该些接触窗 开口连接该些资料线; 复数源极和复数汲极分别位于该些导线和该些像 素电极上; 一半导体层位于该些源极和该些汲极和部分该低 介电常数绝缘层上,且该些源极和该些汲极间之半 导体层为通道区; 一闸极绝缘层位于该半导体层上; 复数条闸极线位于该闸极绝缘层上,其中该些闸极 线为垂直于该第一方向配置,且部份突出延伸至于 该些主动元件区,该些闸极线和该些资料线所围烧 的复数区域可分为该些主动元件区和复数像素区, 该些像素电极系配置于该些像素区上;及 一保护层位于该些闸极线和该些导线上。 2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置之主 动阵列基板,其中该低介电常数绝缘层的材质为苯 环丁烯(benzocyclobutene,BCB)。 3.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置之主 动阵列基板,其中该些导线位于该些源极和该低介 电常数绝缘层之间。 4.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置之主 动阵列基板,其中该些像素电极延伸至该些汲极和 该低介电常数绝缘层之间。 5.如申请专利范围第4项所述之液晶显示装置之主 动阵列基板,其中该些像素电极延伸至部份该些闸 极线下方和部份该些资料线上方。 6.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置之主 动阵列基板,其中该些像素电极和该些导线的材质 为铟锡氧化物。 7.一种液晶显示装置之主动阵列基板的制造方法, 包括: 提供一透明基板; 于该透明基板上形成复数条平行于一第一方向之 资料线,且部份突出延伸覆盖复数个主动元件区; 于该些资料线和该透明基板上形成一低介电常数 绝缘层; 于该低介电常数绝缘层中形成复数个接触窗开口 暴露出该些资料线突出处之表面; 于该低介电常数绝缘层上形成复数像素电极和经 由该些接触窗开口与该些资料线接触之复数导线; 于该些像素电极和该些导线表面形成一n型掺杂层 ; 于具有该n型掺杂层之该透明基板上形成一半导体 层; 于该半导体层上形成一绝缘层; 于该绝缘层上形成一金属层; 定义该n型掺杂层、该半导体层、该绝缘层和该金 属层,以使该n型掺杂层转为复数源极和复数汲极, 使该绝缘层转为一闸极绝缘层,使该金属层转为垂 直于该第一方向之复数闸极线,其中该些闸极线、 该闸极绝缘层和该半导体层的图案相同;以及 于该些闸极线和该些导线上形成一保护层。 8.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之主 动阵列基板的制造方法,其中该低介电常数绝缘层 的材质为BCB。 9.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之主 动阵列基板的制造方法,其中该些像素电极延伸至 部份该些闸极线下方和部份该些资料线上方。 10.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之主 动阵列基板的制造方法,其中该透明导电层为一铟 锡氧化物层。 11.如申请专利范围第10项所述之液晶显示装置之 主动阵列基板的制造方法,其中该n型掺杂层的形 成方法为利用磷化物(PH3)对该铟锡氧化物层的表 面进行电浆处理。 12.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之主 动阵列基板的制造方法,其中于该些像素电极和该 些导线表面形成该n型掺杂层的方法,包括: 于该低介电常数绝缘层上形成一透明导电层; 于该透明导电层上沈积一层n型掺杂物;以及 定义该透明导电层和该层n型掺杂物,使该透明导 电层转为该些像素电极和该些导线,并使该层n型 掺杂物转为对应于该些像素电极和该些导线之该n 型掺杂层。 13.如申请专利范围第7项所述之液晶显示装置之主 动阵列基板的制造方法,其中该保护层的材质为氮 化矽。 图式简单说明: 第1A图至第1D图系绘示本发明一实施例之液晶显示 装置的主动阵列基板之制作流程之上视图。 第2A图至第2E图系绘示本发明一实施例之液晶显示 装置的主动阵列基板之制作流程之剖面图,其中第 2A图至第2D图系分别为第1A图至第1D图的II-II剖面图 。 |
