发明名称 | 抹除记忆元的方法 | ||
摘要 | 一种抹除快闪记忆元的方法包括施加一第一电场于复数记忆元的控制闸与一基板之间;检测是否所有该等记忆元之临界电压皆低于对应该第一电场的第一前验证电压;施加一第二电场于复数记忆元的控制闸与一基板之间;检测是否所有该等记忆元之临界电压皆低于对应该第二电场的第二前验证电压;施加一最终电场于复数记忆元的控制闸与该基板之间;以及检测是否所有记忆元之临界电压皆低于一抹除验证电压,其中第二电场大于该第一电场,且该第一前验证电压不等于该第二前验证电压。 | ||
申请公布号 | TW200713517 | 申请公布日期 | 2007.04.01 |
申请号 | TW094130679 | 申请日期 | 2005.09.07 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈柏安 |
分类号 | H01L21/8247(2006.01);G11C11/402(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 |