发明名称 半导体装置之制造方法及半导体制造设备
摘要 藉由使半导体表面以包含HF2-离子及氧化剂之溶液加以氢终结化,能迅速地进行氢终结化。此情形中,半导体表面为具有(111)晶面、(110)晶面、或(551)晶面之矽。
申请公布号 TW200713442 申请公布日期 2007.04.01
申请号 TW094132656 申请日期 2005.09.21
申请人 大见忠弘 发明人 大见忠弘;寺本章伸;赤堀浩史
分类号 H01L21/306(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L21/306(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋
主权项
地址 日本