| 发明名称 |
应用共振穿隧装置之非挥发性记忆体和静态随机存取记忆体 |
| 摘要 |
本发明揭露一共振穿隧装置。此外，本发明揭露使用一共振穿隧障之一记忆体储存装置。此外，本发明教示使用一共振穿隧装置之一静态随机存取记忆体(SRAM)电路。此外，本发明教示使用一共振穿隧障之一氮化物唯读记忆体(NROM)和反及(NAND)装置。 |
| 申请公布号 |
TW200713604 |
申请公布日期 |
2007.04.01 |
| 申请号 |
TW094137782 |
申请日期 |
2005.10.31 |
| 申请人 |
纳绰半导体公司 |
发明人 |
戴安娜 丁 原 |
| 分类号 |
H01L29/788(2006.01);H01L27/112(2006.01);H01L27/11(2006.01);G11C17/08(2006.01);G11C11/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡玉玲 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
