发明名称 | 铜化学机械研磨方法 | ||
摘要 | 一种铜化学机械研磨方法,适于平坦化形成于基底上的一铜金属层,且此铜金属层通常用来填满基底中的开口。这种方法是先进行第一阶段研磨,以去除铜金属层的部分厚度,其中于第一阶段研磨后,铜金属层残留于基底表面的厚度在500~4000埃之间。然后,进行第二阶段研磨,以完全去除开口以外的铜金属层。其中,可选择在不同研磨垫上进行不同阶段研磨。由于两阶段研磨步骤的关系,本发明可避免在化学机械研磨方法后有铜金属层缺漏的情形发生。 | ||
申请公布号 | TW200711786 | 申请公布日期 | 2007.04.01 |
申请号 | TW094130274 | 申请日期 | 2005.09.05 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 李志岳;魏咏宗;童宇诚;林俊贤;吴俊元 |
分类号 | B24B37/04(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | B24B37/04(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |