| 发明名称 | 非对称浮动闸极反及闸快闪记忆体 | ||
| 摘要 | 一种反及闸(NAND)快闪记忆体元件，包含覆盖在个别的字元线的非对称浮动闸极。透过此一特定浮动闸极与其个别的字元线有效耦合，可使用一大闸极(如字元线)偏压将浮动闸极耦合到具有一电压，可将浮动闸极下方的通道反向。在浮动闸极下方的反向通道因此可以作为源极/汲极。因此，此记忆体元件不需要一浅接面或一辅助闸极。再者，此记忆体元件具有相对较低浮动闸极至浮动闸极(FG-FG)干扰。 | ||
| 申请公布号 | TW200713600 | 申请公布日期 | 2007.04.01 |
| 申请号 | TW094132170 | 申请日期 | 2005.09.16 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 施彦豪;何家骅;吕函庭;赖二琨;谢光宇 |
| 分类号 | G11C11/40(2006.01);G11C17/00(2006.01);G11C16/04(2006.01);H01L29/788(2006.01) | 主分类号 | G11C11/40(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||