发明名称 | 铁电畴阵列结构及其制备方法,及具有该结构之铁电膜 | ||
摘要 | 本发明涉及一种铁电畴阵列结构,其包括:复数铁电畴结构,该复数铁电畴结构具有奈米级直径,且以三角密排方式排布于一铁电超薄膜内。本发明还提供该铁电畴阵列结构之制备方法,其藉由向一铁电超薄膜施加一垂直于其表面之预定大小之电场,于该预定大小之外加电场之极化作用下,铁电超薄膜内之铁电畴可自组织生成一铁电畴阵列结构。该铁电畴阵列结构之制作工艺简单,且该铁电畴阵列结构中之铁电畴结构具有奈米级直径。另外,本发明还提供具有上述铁电畴阵列结构之铁电膜。 | ||
申请公布号 | TW200713646 | 申请公布日期 | 2007.04.01 |
申请号 | TW094133079 | 申请日期 | 2005.09.23 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 段文晖;吴忠庆;吴健;顾秉林 |
分类号 | H01L41/16(2006.01);H01L41/22(2006.01);G11C11/22(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L41/16(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 台北县土城市自由街2号 |