发明名称 多孔质矽土的制造方法与制造装置
摘要 一种同时具有低介电常数与高机械性强度,并可较好地使用于光功能材料、电子功能材料等之多孔质矽土以及多孔质矽土薄膜的制造方法,及使用有该多孔质矽土薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料以及半导体装置的制造方法,以及用以制造这些的制造装置。本发明是将含有烷氧基矽烷类之水解缩合物与界面活性剂的溶液乾燥,获得错合物,然后对该错合物依序进行紫外线照射处理以及藉由具有烷基之有机矽化合物的疏水化处理。承上述,使上述溶液乾燥于基板上以形成错合物,即可得到多孔质矽土薄膜。
申请公布号 TW200712000 申请公布日期 2007.04.01
申请号 TW095129336 申请日期 2006.08.10
申请人 三井化学股份有限公司 发明人 村上雅美;大池俊辅;野义人;在真;和知浩子
分类号 C01B33/12(2006.01);C09D183/00(2006.01);H01L21/31(2006.01) 主分类号 C01B33/12(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 日本