半导体记忆装置之制造方法

摘要

首先，制备提供了储存单元之主要部分的基体结构，此后在该基体结构上形成包括多晶矽膜的下电极。接着，在预定温度下热氮化下电极之表面以形成氮化矽膜。在下电极的热氮化处理中，将温度增加至预定氮化温度，此后以较通常更缓慢的速率降低温度。此后在下电极上形成氧化铝(Al2O3)或其他金属氧化物介电膜来作为电容性绝缘膜，并在电容性绝缘膜上形成上电极。