| 摘要 |
本发明之内容系一种用以制造涂敷磊晶之矽晶圆之方法，其中，提供许多至少正面业经抛过光之矽晶圆及依次在磊晶反应器内逐步个别涂敷，其中，所提供之各个矽晶圆放在磊晶反应器内之晶座上，第一步，于氢环境(气氛)中施以预处理，及第二步，将蚀刻介质加入该氢环境(气氛)内，随后在抛过光之正面上涂敷磊晶，并将其自磊晶反应器移走，其中在涂敷磊晶一特定次数之后，将该晶座施以蚀刻处理，并在该蚀刻处理之后，将该晶座施以亲水化。再者，本发明之另一内容系一种矽晶圆，该矽晶圆具有正面及背面，至少其正面业经抛过光且至少其正面上涂敷磊晶层，相对于该涂敷过之矽晶圆正面上、尺寸为26×8平方公厘、测试窗口之一个区域网格部分区域之至少99％及2公厘周边除外范围，该矽晶圆之最大局部平面度SFQRmax为0.01微米至0.035微米。 |
