非挥发性可程式记忆体装置

摘要

本发明揭示一种一次可程式(OTP)记忆体单元(10)，其包含一涂布有一第二导电稳定转变化合物(14)之第一金属层(12)，其间具有一绝缘层(16)。该第一及第二层(12、14)系根据其间之吉布斯自由能中的差选定，该自由能指定将会由于二材料间之放热化学反应产生的化学能。该第一及第二层(12、14)材料本身系高度热稳定，但当施加一电压至单元(10)时，绝缘层(16)之一局部崩溃导致产生一热点(18)，其引起该第一及第二层(12、14)间之一放热化学反应。该放热反应产生足够热(20)来横跨该单元产生一短路，且因此减少其电阻。